FQP27P06, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
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Art.Nr.:
FQP27P06
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Beschreibung
Technische Daten
Transistor-Typ                       P-MOSFET
Technologie                           QFET®
Polarisierung                         unipolar
Drain-Source Spannung       -60V
Drainstrom                             -27A
Gehäuse                                TO220AB
Gate-Source Spannung         ±25V
Widerstand im Leitungszustand 70mΩ
Montage                                 THT
Gate-Ladung                          43nC
Kanal-Art                                anreicherungs
Bruttogewicht 2 g
 

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