IXTH96P085T, Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
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Art.Nr.:
IXTH96P085T
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Beschreibung
Technische Daten
Transistor-Typ                       P-MOSFET
Technologie                           TrenchP™
Polarisierung                         unipolar
Drain-Source Spannung       -85V
Drainstrom                             -96A
Verlustleistung                       298W
Gehäuse                               TO247-3
Gate-Source Spannung        ±15V
Widerstand im Leitungszustand    13mΩ
Montage                                THT
Gate-Ladung                         180nC
Kanal-Art                                anreicherungs
Bereitschaftszeit                    55ns
Bruttogewicht 6.20 g
 

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