IXTH140P05T, Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
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Art.Nr.:
IXTH140P05T
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Beschreibung
Technische Daten
Transistor-Typ                       P-MOSFET
Technologie                           TrenchP™
Polarisierung                         unipolar
Drain-Source Spannung       -50V
Drainstrom                             -140A
Verlustleistung                       298W
Gehäuse                                TO247-3
Gate-Source Spannung         ±15V
Widerstand im Leitungszustand    9mΩ
Montage                                 THT
Gate-Ladung                          200nC
Kanal-Art                                anreicherungs
Bereitschaftszeit                    53ns
Bruttogewicht 6.25 g
 

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