SUP90P06-09L-E3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
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Art.Nr.:
SUP90P06-09L-E3
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Beschreibung
Technische Daten
Transistor-Typ                       P-MOSFET
Technologie                           renchFET®
Polarisierung                         unipolar
Drain-Source Spannung       -60V
Drainstrom                             -67A
Verlustleistung                       250W
Gehäuse                                TO220AB
Gate-Source Spannung         ±20V
Widerstand im Leitungszustand    11,8mΩ
Montage                                 THT
Gate-Ladung                          240nC
Bruttogewicht  2.0 g
 

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