PSMN012-80PS,127, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
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Art.Nr.:
PSMN012-80PS,127
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Beschreibung
Technische Daten
Transistor-Typ                       N-MOSFET
Polarisierung                         unipolar
Drain-Source Spannung       80V
Drainstrom                             52A
Drainstrom im Impuls            295A
Verlustleistung                      148W
Gehäuse                                SOT78, TO220AB
Gate-Source Spannung       ±20V
Widerstand im Leitungszustand 18mΩ
Montage                                THT
Gate-Ladung                         43nC
Kanal-Art                                anreicherungs
Bruttogewicht  2 g
 

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