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G3R160MT12D, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 40A; 123W

Art.Nr.:: G3R160MT12D
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Beschreibung

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Technische Daten
Transistor-Typ                                 N-MOSFET
Technologie                                    G3R™, SiC
Polarisierung                                   unipolar
Drain-Source Spannung                1,2kV
Drainstrom                                      16A
Drainstrom im Impuls                     40A
Verlustleistung                                123W
Gehäuse                                         TO247-3
Gate-Source Spannung                 -5...15V
Widerstand im Leitungszustand    0,16Ω
Montage                                          THT
Gate-Ladung                                   28nC
Kanal-Art                                         anreicherungs
Bruttogewicht 6.50 g

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